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濺射鍍膜的基本原理是讓具有足夠高能量的粒子轟擊靶材表面，使靶材中的原子被“濺射”出來，沉積到基體上成膜。通常是利用氣體放電產生氣體電離，其正離子在電場作用下高速轟擊作為陰極的靶體，擊出陰極靶體原子或分子，飛向被鍍基體表面沉積成薄膜。靶材材料的技術發展趨勢與下游應用產業的薄膜技術發展趨勢息息相關。

在半導體工業中，鎢（W）薄膜主要被用作構成位于W-Al基底中的電子部件（例如，柵電極或接線材料） 的材料。

近年來，微電子及半導體產業得到了迅速的發展，由于這些電子零件需要高集成度，高可靠性，高功能性，高速處理，為了滿足這些需求，降低薄膜材料的電阻至關重要。W用于柵極和互連金屬化中的金屬間隔離有著顯著的作用，鎢電阻低，并且耐熱性也極好，鎢作為構成電極和導線的材料，引起了半導體工程師的廣泛注意

廈門虹鷺生產的高純鎢靶材應用于物理氣相沉積（PVD）制備，濺射過程中產生的顆粒數少、得到的薄膜均一性高并且具有優良電性能，能夠較完美地滿足半導體行業對材料的極致追求。